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一种基于外延沟道的MOSFET器件及其制备方法

基本信息

申请号	CN202011322803.0	申请日	-
公开（公告）号	CN114530370A	公开（公告）日	2022-05-24
申请公布号	CN114530370A	申请公布日	2022-05-24
分类号	H01L21/28（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I;H01L29/51（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;H01L29/786（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	李鑫	申请（专利权）人	瑶芯微电子科技（上海）有限公司
代理机构	西安嘉思特知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	-
地址	200120上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区蔡伦路1690号3幢405、416室
法律状态	-

摘要

本发明涉及一种基于外延沟道的MOSFET器件及其制备方法，方法包括：选取N型衬底层；在N型衬底层上形成N型外延层；在N型外延层的两端的内表面形成P阱注入区；在P阱注入区的内表面形成N+注入区和P+注入区，两个N+注入区位于两个P+注入区之间；在部分N型外延层、部分P阱注入区和部分N+注入区上形成外延沟道层；热氧化外延沟道层和N型外延层形成第一栅氧化层、位于第一栅氧化层和N型外延层上的第二栅氧化层；在P+注入区和部分N+注入区上形成源极；在N型衬底层的下表面形成漏极；在第二栅氧化层上形成栅极。本发明形成了外延沟道层，并对该外延沟道层进行了氧化处理，通过氧化方法形成栅氧化层，由此可以有效避免传统结构中沟道处的C簇问题，从而降低沟道缺陷密度、提升沟道迁移率、改善器件的可靠性。