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一种降低氧化层电场强度的MOSFET器件及其制备方法

基本信息

申请号	CN202011324384.4	申请日	-
公开（公告）号	CN114530380A	公开（公告）日	2022-05-24
申请公布号	CN114530380A	申请公布日	2022-05-24
分类号	H01L21/336（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	李鑫	申请（专利权）人	瑶芯微电子科技（上海）有限公司
代理机构	西安嘉思特知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	-
地址	200120上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区蔡伦路1690号3幢405、416室
法律状态	-

摘要

本发明涉及一种降低氧化层电场强度的MOSFET器件及其制备方法，方法包括：选取N型衬底层；在N型衬底层上形成第一N型外延层；在第一N型外延层内表面形成P+埋层区；在第一N型外延层上形成第二N型外延层；在第二N型外延层的两端的内表面形成两个P阱注入区；在P阱注入区的内表面形成N+注入区；在P阱注入区的内表面形成P+注入区，同时在第二N型外延层的内表面形成P+场调制区；在第二N型外延层、部分P阱注入区和部分N+注入区上形成栅氧化层；在P+注入区和部分N+注入区上形成源极；在N型衬底层的下表面形成漏极；在栅氧化层上形成栅极。本发明P+场调制区可以将栅氧化层中的峰值电场降低，引入到SiC体内，避免了表面击穿现象。