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用于制备准单晶硅铸锭的坩埚及准单晶硅铸锭的生长方法

基本信息

申请号 CN201110265043.9 申请日 -
公开（公告）号 CN102995103A 公开（公告）日 2013-03-27
申请公布号 CN102995103A 申请公布日 2013-03-27
分类号 C30B11/00(2006.01)I;C30B28/06(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 史珺;宗卫峰;程素玲 申请（专利权）人 上海普罗新能源有限公司
代理机构 上海浦一知识产权代理有限公司 代理人 丁纪铁
地址 201206 上海市浦东新区惠南镇宣黄公路2455弄6号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种用于制备准单晶硅铸锭的坩埚，其底部内壁具有规则的空间分布的三维几何形状，规则的空间分布的三维几何形状由同一形状的凹坑在二维空间复制排列而形成；凹坑由空心的倒立棱锥、空心的第一倒立棱台和空心的第二倒立棱台组成，第二倒立棱台、第一倒立棱台和倒立棱锥自上而下相互连通。本发明还公开了一种利用所述坩埚生长准单晶硅铸锭的方法。本发明能够提高铸锭质量，增大晶粒尺寸，提高晶粒均匀度，促进晶粒垂直生长，减少晶界数量和晶界处杂质，使硅锭晶粒的尺寸增大至与硅电池片尺寸一致，切片后得到的单个电池晶体为准单晶体，实现采用低成本方式制备准单晶结构的硅电池片，降低了电池片的成本，提高了电池片的效率。