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多晶硅原料的清洗方法

基本信息

申请号 CN201110285053.9 申请日 -
公开（公告）号 CN103011168A 公开（公告）日 2013-04-03
申请公布号 CN103011168A 申请公布日 2013-04-03
分类号 C01B33/037(2006.01)I 分类 无机化学;
发明人 史珺;卿喻楚;李华杰 申请（专利权）人 上海普罗新能源有限公司
代理机构 上海浦一知识产权代理有限公司 代理人 上海普罗新能源有限公司
地址 201300 上海市浦东新区惠南镇宣黄公路2455弄6号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种多晶硅原料的清洗方法，包括步骤：将多晶硅料粉碎，用磁铁去除硅粉中的铁。将硅粉在过氧化氢溶液中浸泡2小时～24小时。将硅粉进行湿氧氧化。将硅粉放入盐酸和氢氟酸的混合酸中浸泡。将硅粉用氢氟酸浸泡腐蚀。将硅粉放入超声波水槽中进行超声清洗。将硅粉在真空炉中烘干，得到目标产品。本发明通过酸洗能去除硅粉中的金属杂质；以及利用硼在硅中平衡浓度和在SiO2中平衡浓度之比小于1，经过湿氧氧化使杂质硼扩散到SiO2中，再通过酸洗去含大量硼的SiO2，从而能得到4N～5N的多晶硅。本发明还具有工艺方法简单、成本低、工艺安全以及较少的污染的优点。