太阳能级多晶硅制备中的真空固态挥发除磷的方法

基本信息

申请号 CN201010528342.2 申请日 -
公开(公告)号 CN102452652B 公开(公告)日 2013-03-20
申请公布号 CN102452652B 申请公布日 2013-03-20
分类号 C01B33/037(2006.01)I 分类 无机化学;
发明人 史珺;程素玲 申请(专利权)人 上海普罗新能源有限公司
代理机构 上海浦一知识产权代理有限公司 代理人 上海普罗新能源有限公司
地址 201300 上海市浦东新区宣黄公路2455弄6号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种太阳能级多晶硅制备中的真空固态挥发除磷的方法,包括步骤:1)采用酸洗的方法,去除硅颗粒表面氧化层和晶界上的金属杂质,然后水洗,干燥;2)干燥后的硅颗粒中加入纳米级二氧化硅粉,混合后压片;3)将压片后的混合物在真空下进行加热保温。本发明无需将硅熔化,能耗低,并且操作容易。