硅锭的铸造方法
基本信息
| 申请号 | CN201110254343.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN102953117B | 公开（公告）日 | 2015-06-10 |
| 申请公布号 | CN102953117B | 申请公布日 | 2015-06-10 |
| 分类号 | C30B11/00(2006.01)I;C30B28/06(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 史珺;孙文彬 | 申请（专利权）人 | 上海普罗新能源有限公司 |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 上海普罗新能源有限公司 |
| 地址 | 201300 上海市浦东新区惠南镇宣黄公路2455弄6号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种硅锭的铸造方法，包括步骤：在坩埚中进行装料，底层原料包括多晶硅粉、中间层原料由单晶硅片拼接而成、上层原料为多晶硅料；将坩埚置于铸锭炉中并抽真空，将多晶硅粉烧结使单晶硅片固定；控制炉内的垂直温度梯度，使单晶硅片的上部部分熔化、并使多晶硅料熔化；控制炉内的垂直温度梯度，使晶粒沿着未熔化的单晶硅片向上生长并得到硅锭。本发明能提高硅锭的晶粒尺寸、提高由硅锭制成的硅电池片的光电转换效率，能降低生产成本。 |
