一种半导体芯片
基本信息
| 申请号 | CN201620039008.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN205303503U | 公开（公告）日 | 2016-06-08 |
| 申请公布号 | CN205303503U | 申请公布日 | 2016-06-08 |
| 分类号 | H01L33/20(2010.01)I;H01L33/10(2010.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 黄晓东;陈锡园 | 申请（专利权）人 | 镓谷科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 200031 上海市徐汇区淮海中路1720号众联别墅E座 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种半导体芯片，包括衬底，依次生长在衬底上的N型层、发光层、P型层以及设置在N型层与P型层上的N电极和P电极，在所述衬底与N型层之间有溅镀的图形结构。所述衬底的材料是蓝宝石，所述图形结构的材料是Cu。所述半导体芯片相对于现有技术使用了比ITO透明电极相对廉价的导电材料铜，具有高抗冲击性和低总电阻的性能，因而具有高可视度以及成本竞争力，可大幅度节约生产成本，提高生产效率。 |
