铜质引线框架及其表面处理方法、封装体及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202110712015.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113594048A | 公开（公告）日 | 2021-11-02 |
| 申请公布号 | CN113594048A | 申请公布日 | 2021-11-02 |
| 分类号 | H01L21/48（2006.01）I;H01L23/495（2006.01）I;H01L21/56（2006.01）I;H01L23/31（2006.01）I;C25F3/02（2006.01）I;C25D11/34（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 鲁纬;陈志钊;徐俊 | 申请（专利权）人 | 广东华智芯电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 广州华进联合专利商标代理有限公司 | 代理人 | 袁荟 |
| 地址 | 528251广东省佛山市南海区狮山镇软件园桃园路南海产业智库城一期A座A616、A618室（住所申报） | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及集成电路封装技术领域，特别是涉及一种铜质引线框架及其表面处理方法、封装体及其制备方法。本发明通过将铜质引线框架进行脱脂处理，使其被活化，使得能更好地进行微蚀处理，形成具有一定粗糙度和极高表面活性的外表面，然后进行电解氧化处理，并设定了电解氧化液的组成、电解氧化的电流密度以及处理温度，平衡了氧化反应和溶蚀反应，使得最终形成的氧化膜具有垂直交错的微观孔隙结构，较传统技术中棕化处理得到的相对平面化的微观粗化结构具备更好的表面粘合性能，从而使得表面处理后的铜质引线框架与塑料也能具备较好的结合力，能用于制备高气密性的塑料空腔封装体，在维持了良好气密性的前提下，有效降低了封装体的制造成本。 |
