一种在SiC微颗粒表面磁控溅射镀铜膜的方法
基本信息
申请号 | CN200610015536.6 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN101135045A | 公开(公告)日 | 2008-03-05 |
申请公布号 | CN101135045A | 申请公布日 | 2008-03-05 |
分类号 | C23C14/35(2006.01);C23C14/06(2006.01);C23C14/54(2006.01) | 分类 | 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
发明人 | 沈志刚;俞晓正;徐政;裴小科;范洪涛;李勇 | 申请(专利权)人 | 深圳微纳超细材料有限公司 |
代理机构 | 国嘉律师事务所 | 代理人 | 卢枫 |
地址 | 300457天津市天津开发区第四大街80号 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 一种在SiC微颗粒表面磁控溅射镀铜膜的方法,其特征是采用微颗粒磁控溅射镀膜设备,以0.1~500μm的SiC颗粒材料作为基底,纯度为99.999%的铜作为靶材,通过调节超声波的振动功率及样品架的摆动频率,使SiC颗粒在溅射镀膜时能够均匀地分散,再通过改变真空室内的工作气压、溅射功率、温度和溅射时间等工艺条件,在其表面沉积上金属铜膜。该工艺操作简单,成本低廉,无废水废气污染,所制备的薄膜均匀,连续。 |
