镓铝砷材质的红外LED芯片的功率提升方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

镓铝砷材质的红外LED芯片的功率提升方法

基本信息

申请号	CN202010003804.2	申请日	-
公开（公告）号	CN111162155A	公开（公告）日	2021-07-06
申请公布号	CN111162155A	申请公布日	2021-07-06
分类号	H01L33/54;H01L33/58	分类	基本电气元件;
发明人	邱晨;吴质朴;何畏	申请（专利权）人	深圳市奥伦德元器件有限公司
代理机构	广州嘉权专利商标事务所有限公司	代理人	孙浩
地址	518100 广东省深圳市龙岗区龙城街道黄阁路天安数码创业园1号厂房B座3楼
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种镓铝砷材质的红外LED芯片的功率提升方法，包括：对红外LED芯片涂上光刻胶并进行烘烤处理；对红外LED芯片的P面进行光刻处理使得P面生成导光孔，再进行烘烤处理；将红外LED芯片浸泡至由磷酸和双氧水混合的第一混合溶液中进行刻蚀处理；将刻蚀处理后的红外LED芯片浸泡至由硝酸、冰醋酸和水混合的第二混合溶液中进行粗化处理；将粗化处理后的红外LED芯片进行去胶处理和清洗处理。通过光刻处理在P面生成导光孔，增大了发光面积，提高了发光功率；刻蚀处理可以形成敞开状的导光孔，使得大部分光线不会被反射或者吸收，提高了发光功率；另外，对P面、N面和侧面进行表面粗化以及对导光孔进行粗化能够增加发光面积，提高发光功率。