一种红外探测器及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202010771103.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112071924A | 公开（公告）日 | 2020-12-11 |
| 申请公布号 | CN112071924A | 申请公布日 | 2020-12-11 |
| 分类号 | H01L31/0232(2014.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 杨为家;邱晨;吴质朴;何畏 | 申请（专利权）人 | 深圳市奥伦德元器件有限公司 |
| 代理机构 | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 深圳市奥伦德元器件有限公司 |
| 地址 | 518100广东省深圳市龙岗区龙城街道黄阁路天安数码创业园1号厂房B座3楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种红外探测器及其制备方法，包括：第一电极；Si基红外探测器，所述Si基红外探测器与所述第一电极连接；Si‑GeSi‑Ge纳米柱，述Si‑GeSi‑Ge纳米柱与所述Si基红外探测器连接；第二电极，所述第二电极与所述Si‑GeSi‑Ge纳米柱连接。所述Ge壳层具有较强的金属属性，可以与金属电极形成良好的界面接触，提高器件的光生载流子的提取效率；与此同时，可以使整个外加的偏压电场分布得更加均匀，有利于缩短光生载流子的迁移路径。Si‑GeSi‑Ge纳米柱可以起到减反膜的作用，同时其量子效应可以帮助提高对光的吸收效率。Si与Ge可以形成良好的异质结，提高对光的吸收效率。 |
