一种NOR闪存器件及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201810186542.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110335867B | 公开（公告）日 | 2021-07-02 |
| 申请公布号 | CN110335867B | 申请公布日 | 2021-07-02 |
| 分类号 | H01L27/11517;H01L27/11521 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 熊涛;刘钊;许毅胜;舒清明 | 申请（专利权）人 | 上海格易电子有限公司 |
| 代理机构 | 北京品源专利代理有限公司 | 代理人 | 孟金喆 |
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路498号1幢502/15 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种NOR闪存器件及其制备方法，其中，NOR闪存器件，包括依次层叠的衬底、隧穿氧化层、浮栅层、介电层和控制栅层；至少一个贯穿控制栅层和介电层的浮栅过孔，浮栅过孔位于有源区，用于暴露出浮栅层，以引出浮栅电极；至少一个有源区阻挡结构，有源区阻挡结构设置于衬底和介电层之间，用于在对浮栅层的化学机械抛光工艺中，减少浮栅过孔暴露出的浮栅层的磨损。本发明的技术方案，通过增设有源区阻挡结构，可以有效的降低化学机械抛光工艺对其周围浮栅层的抛光速率，增加其周围浮栅层的厚度，可以避免由于浮栅层过薄而导致NOR闪存器件出现漏电或击穿的现象，提高了NOR闪存器件的可靠性。 |
