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半导体器件的制造方法

基本信息

申请号 CN202010174821.2 申请日 -
公开（公告）号 CN113394163A 公开（公告）日 2021-09-14
申请公布号 CN113394163A 申请公布日 2021-09-14
分类号 H01L21/768（2006.01）I;H01L21/28（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 许毅胜;罗啸;熊涛 申请（专利权）人 上海格易电子有限公司
代理机构 北京成创同维知识产权代理有限公司 代理人 蔡纯;冯丽欣
地址 201203上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路498号1幢502/15、502/17、502/19、502/21室
法律状态 -

摘要

摘要 本申请公开了一种半导体器件的制造方法，该制造方法包括：在衬底上形成栅极结构；在衬底中形成掺杂区，掺杂区至少位于栅极结构的一侧；形成覆盖衬底与栅极结构的绝缘结构；去除绝缘结构的第一部分，以便于形成第一凹部，第一凹部自绝缘结构的表面向衬底延伸至第一预设深度且与掺杂区的位置对应；以及经第一凹部去除绝缘结构的第二部分，以便于形成贯穿绝缘结构的第一接触孔，至少部分掺杂区被第一接触孔暴露。通过分步去除绝缘结构的第一部分与第二部分形成了穿过绝缘结构的第一接触孔，降低了形成第一接触孔的工艺难度，使得第一接触孔不仅可以到达衬底，并且保证了第一接触孔的形貌正常，从而提高了器件的可靠性。