高频下具有低介电常数和损耗的硅氧烷及其制备方法和应用
基本信息
| 申请号 | CN202010813742.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111909192B | 公开（公告）日 | 2022-06-21 |
| 申请公布号 | CN111909192B | 申请公布日 | 2022-06-21 |
| 分类号 | C07F7/08;C08F130/08 | 分类 | 有机化学〔2〕; |
| 发明人 | 房强;刘凤萍;孙晶 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海有机化学研究所 |
| 代理机构 | 上海一平知识产权代理有限公司 | 代理人 | 高一平;徐迅 |
| 地址 | 200032 上海市徐汇区零陵路345号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及高频下具有低介电常数和损耗的硅氧烷及其制备方法和应用。具体地，本发明公开了一种硅氧烷单体，以所述单体固化所得树脂在高频下具有低介电常数和低介电损耗、高耐热性、良好加工性和低吸水率，特别适合用于制备高频电路板。 |
