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可改善填充均匀性的离子化PVD设备

基本信息

申请号	CN202110707392.5	申请日	-
公开（公告）号	CN113249701B	公开（公告）日	2021-10-01
申请公布号	CN113249701B	申请公布日	2021-10-01
分类号	C23C14/35（2006.01）I;C23C14/54（2006.01）I	分类	对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕;
发明人	周云;宋维聪	申请（专利权）人	上海陛通半导体能源科技股份有限公司
代理机构	上海光华专利事务所（普通合伙）	代理人	卢炳琼
地址	201201上海市浦东新区庆达路315号13幢3F
法律状态	-

摘要

本发明提供一种可改善填充均匀性的离子化PVD设备，包括腔体、溅射组件、基座和离子调节器；溅射组件位于腔体顶部，基座位于腔体内，离子调节器位于腔体内，且位于溅射组件和基座之间；离子调节器包括多个磁场调节单元，多个磁场调节单元相互间隔，并以腔体的中心为中心向外呈放射状分布；磁场调节单元包括片状磁铁和电磁线圈中的一种，片状磁铁的表面磁场强度沿远离腔体中心的方向逐渐增强，且相邻的片状磁铁的磁极面的磁性相反，本发明经改善的结构设计，在离子调节器的磁场调节单元之间的扇形间隙内形成逆时针方向的水平磁场而产生作用力，可使金属阳离子从扇形间隙的中间和半中间区域向边缘区域移动，由此可提高边缘离子浓度和深孔填充均匀性。