一种多路多控式抽真空系统设备及抽真空方法

基本信息

申请号 CN202110730958.6 申请日 -
公开(公告)号 CN113249708B 公开(公告)日 2021-09-28
申请公布号 CN113249708B 申请公布日 2021-09-28
分类号 C23C16/44(2006.01)I;C23C16/455(2006.01)I;C23C14/56(2006.01)I 分类 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕;
发明人 封拥军;周东平;崔世甲;宋维聪 申请(专利权)人 上海陛通半导体能源科技股份有限公司
代理机构 上海光华专利事务所(普通合伙) 代理人 刘星
地址 201201上海市浦东新区庆达路315号13幢3F
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供一种多路多控式抽真空系统设备及抽真空方法,该设备包括本体、多个腔室、主管道、抽真空装置、多个分管道、多个控制阀门、多个万向抽气头及多个驱动机构,其中,多个驱动机构分别连接于不同的万向抽气头以改变万向抽气头的抽气方向,一个腔室内可设置至少一个万向抽气头,且各个万向抽气头可分别控制。本发明的抽真空方法在抽真空过程中可根据腔室内气体的不均匀度或沉积薄膜的不均匀度来调节腔室内万向抽气头的抽气速度及抽气方向,提高腔室内残留气体的分布均匀性或镀膜工艺反应时腔室内等离子体的分布均匀性,最终提高所镀膜层的厚度均匀性。万向抽气头的高度和/或方向可预先手动调节,其抽速及方向也可在抽真空过程中实时调节。