通过优化分配多角度分步沉积时间提升薄膜均匀性的方法
基本信息
| 申请号 | CN202110754381.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113186507A | 公开（公告）日 | 2021-07-30 |
| 申请公布号 | CN113186507A | 申请公布日 | 2021-07-30 |
| 分类号 | C23C14/54;C23C16/52 | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 叶青;林越山;宋维聪 | 申请（专利权）人 | 上海陛通半导体能源科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 卢炳琼 |
| 地址 | 201201 上海市浦东新区庆达路315号13幢3F | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种通过优化分配多角度分步沉积时间提升薄膜均匀性的方法。该方法包括步骤，S1：将晶圆调整至n个不同的预设角度，在调整至各预设角度时，在保持晶圆静止的状态下进行气相沉积，以于晶圆表面沉积薄膜，并收集各角度下薄膜的特征参数以得到对应各角度的薄膜均匀性分布数据，其中，n为大于1的整数；S2：基于得到的所有角度下的薄膜均匀性分布数据，采用拟合分析得到最优的角度组合以及在各角度的最佳沉积时间分配配比；S3：依最优的角度组合对晶圆的角度进行调整，在调整至相应的各角度后，按对应各角度的最佳沉积时间分配配比对晶圆进行相应时长的气相沉积，以于晶圆表面沉积薄膜。本发明有助于提高薄膜沉积均匀性。 |
