一种半导体成型方法
基本信息
| 申请号 | CN202110457332.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113178393A | 公开（公告）日 | 2021-07-27 |
| 申请公布号 | CN113178393A | 申请公布日 | 2021-07-27 |
| 分类号 | H01L21/48;H01L21/56 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 何光文;张斌;刘磊;沈铮华;邱冬冬 | 申请（专利权）人 | 长电科技（滁州）有限公司 |
| 代理机构 | 安徽知问律师事务所 | 代理人 | 侯晔 |
| 地址 | 239000 安徽省滁州市经济技术开发区城北工业园苏州路以西、世纪大道以北 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体成型方法，属于半导体封装技术领域。本发明的方法包括：先对基材正面进行处理，再对基材背面进行蚀刻形成散热片和引脚；之后对蚀刻后的基材背面刷油墨，并对油墨进行烘烤，使得油墨由液态转为固态；而后去除散热片和引脚的表面的油墨，其中，蚀刻后的基材背面的其他区域存留有油墨；对蚀刻后的基材背面的其他区域存留的油墨进行固化；之后对散热片和引脚的表面进行电镀，再进行切割分离得到单个半导体封装件。本发明克服了现有技术中，基材背面工艺过程中翘曲导致曝光偏移，使得散热片和引脚有油墨残留或漏缝的不足，本发明可以有效避免曝光偏移，从而解决了油墨残留和漏缝问题，且提高了生产效率并降低了人工成本。 |
