一种半导体器件高低温测试系统和方法
基本信息
| 申请号 | CN202111451415.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114152856A | 公开（公告）日 | 2022-03-08 |
| 申请公布号 | CN114152856A | 申请公布日 | 2022-03-08 |
| 分类号 | G01R31/26（2014.01）I | 分类 | 测量；测试; |
| 发明人 | 承龙;谢鸿程;邱冬冬 | 申请（专利权）人 | 长电科技（滁州）有限公司 |
| 代理机构 | 安徽知问律师事务所 | 代理人 | 侯晔 |
| 地址 | 239000安徽省滁州市经济技术开发区城北工业园苏州路以西、世纪大道以北 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开一种半导体器件高低温测试系统和方法，属于半导体器件测试技术领域。针对现有技术中存在的半导体器件在高低温检测时操作复杂，检测效率低，检测成本高的问题，本发明提供一种半导体器件高低温测试系统和方法，待检测半导体器件通过传送轨道进入检测结构中进行检测，所述检测包括室温下检测、第一检测温度下检测、第二检测温度下检测和第三检测温度下检测；本发明实现将不同的温度检测装置集成，有效的模拟真实的环境变化，增加产品测试的可靠性，自动化检测提高检测效率；测试系统结构简单，易于维修保养。 |
