一种N型AlGaN的生长方法
基本信息
| 申请号 | CN201710688681.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN107464862B | 公开（公告）日 | 2018-12-28 |
| 申请公布号 | CN107464862B | 申请公布日 | 2018-12-28 |
| 分类号 | H01L33/00;H01L33/12;H01L21/02 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 张康;陈志涛;赵维;何晨光;贺龙飞;吴华龙;刘宁炀;廖乾光 | 申请（专利权）人 | 深圳修远电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 广东世纪专利事务所有限公司 | 代理人 | 刘卉 |
| 地址 | 510651 广东省广州市天河区长兴路363号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种N型AlGaN的生长方法，采用直流磁控反应溅射设备和MOCVD设备制备并依次包括以下步骤：在蓝宝石图形化凸型衬底上溅射AlN buffer层，生长带插入层的GaN梯形台面层，生长带插入层的GaN梯形合并层，生长平坦的GaN 2D生长层，生长重掺杂的N型AlGaN生长层，在H2、NH3混合气氛下降温冷却。本发明采用梯形GaN生长方法，结合周期性类圆锥体图形的阻断作用，解决了在GaN模板内插入的AlN层易出现的大应力开裂现象，同时为后续AlGaN提前释放应力，解决了高质量重掺杂N型AlGaN的生长开裂问题。 |
