半导体基板及半导体板制作方法
基本信息
| 申请号 | CN201610335492.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN107403778A | 公开（公告）日 | 2017-11-28 |
| 申请公布号 | CN107403778A | 申请公布日 | 2017-11-28 |
| 分类号 | H01L23/482;H01L21/48 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 胡川 | 申请（专利权）人 | 深圳修远电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 广州番禺容大专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 刘新年 |
| 地址 | 322000 浙江省金华市义乌市稠江街道高新路10号义乌高层次人才创新园标准厂房一号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及提供一种半导体基板及芯片制作方法，其中半导体基板包括：用于制作电路的半导体层、隔离层、和预留被消减厚度的辅助层；半导体层、隔离层、辅助层依次层叠设置，辅助层的厚度大于半导体层的厚度。采用所述的半导体基板的芯片制作方法，包括：电路制作过程，在所述半导体基板的半导体层上制作电路；降低厚度过程，对辅助层进行磨削或者蚀刻，消减辅助层的厚度，使半导体基板整体的厚度减小而获得电路基板；封装过程，电路基板进行封装获得芯片。在半导体层上制作电路时，辅助层为半导体层提供辅助支撑，半导体层不易变形，可以保证半导体电路的性能；不再需要辅助层做辅助支撑时，消减辅助层的厚度，使电路基板的厚度大幅下降。 |
