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图形化衬底及其制造方法、LED芯片及其制造方法

基本信息

申请号 CN201310231360.8 申请日 -
公开（公告）号 CN103337576A 公开（公告）日 2013-10-02
申请公布号 CN103337576A 申请公布日 2013-10-02
分类号 H01L33/22(2010.01)I;H01L33/10(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 艾常涛;侯想;王汉华;靳彩霞;董志江 申请（专利权）人 迪源光电股份有限公司
代理机构 北京轻创知识产权代理有限公司 代理人 杨立
地址 430205 湖北省武汉市东湖高新技术开发区光谷一路227号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及一种图形化衬底及其制造方法、LED芯片及其制造方法。该图形化衬底为：所述图形化衬底为蓝宝石衬底，所述蓝宝石衬底上具有周期性交替排列的沟槽和凸起图形，所述凸起图形与所述沟槽之间具有平台阶。本发明的图形化衬底，是由两种或两种以上单一图形组合而成的复合图形，可以有效降低GaN外延生长的位错密度，提高内量子效率，同时由于本发明的图形衬底光反射面增多，可以加强光的散射，使有源层发出的光经过衬底后反射，增加出光几率；另外，在生长GaN的时候，沟槽里面GaN无法填满，会形成空隙，可以进一步增加光的反射。