一种发光二极管外延结构
基本信息
| 申请号 | CN201410612381.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN104332538A | 公开（公告）日 | 2015-02-04 |
| 申请公布号 | CN104332538A | 申请公布日 | 2015-02-04 |
| 分类号 | H01L33/06(2010.01)I;H01L33/14(2010.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李鸿建;沈鑫;靳彩霞;董志江 | 申请（专利权）人 | 迪源光电股份有限公司 |
| 代理机构 | 北京汇泽知识产权代理有限公司 | 代理人 | 张瑾 |
| 地址 | 430074 湖北省武汉市东湖开发区光谷一路227号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明适用于发光二极管技术领域，提供了一种发光二极管外延结构，外延结构包括：依次排列的衬底1、过渡层2、u型氮化镓层3、n型氮化镓层4、量子阱层5和p型氮化镓层6；所述n型氮化镓层4的电子浓度渐变，远离所述量子阱层5侧电子浓度高于靠近所述量子阱层5侧电子浓度。该发光二极管外延结构的结构简单，制作方便，解决现有技术中电流密度分布不均的问题，增加电流扩展，缓解电流分布不均，能有效提高提高发光二极管的发光效率与信赖性。 |
