一种高外量子效率GaN基LED外延片及其制作方法
基本信息
| 申请号 | CN201410429040.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN104241468A | 公开（公告）日 | 2014-12-24 |
| 申请公布号 | CN104241468A | 申请公布日 | 2014-12-24 |
| 分类号 | H01L33/04(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 罗绍军;艾常涛;李鸿建;李四明;靳彩霞;董志江 | 申请（专利权）人 | 迪源光电股份有限公司 |
| 代理机构 | 北京汇泽知识产权代理有限公司 | 代理人 | 张瑾 |
| 地址 | 430074 湖北省武汉市东湖开发区光谷一路227号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明适用于外延片制造领域，提供一种高外量子效率GaN基LED外延片及其制作方法，所述方法包括：在蓝宝石衬底上依次生长出GaN成核层、非故意掺杂U-GaN层、N型掺杂GaN层、有源区MQW层、量子阱保护层、电子阻挡层、P型GaN层、接触层；所述电子阻挡层为AlN层或者AlN与AlyInzGa1-y-zN形成的超晶格层，0≦y≦1，0≦z≦1，0≦y+z≦1，生长温度为700～1200℃，厚度为3～100nm。本发明中，高势垒的薄层AlN能有效起到电子阻挡层的作用，可以减薄整个P层结构的厚度，可以显著提高LED器件的外量子效率，而且还可以缩短生长时间，降低生产成本。 |
