一种GaN基LED的PGaN结构及其外延生长方法
基本信息
| 申请号 | CN201310231920.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN103346224A | 公开（公告）日 | 2013-10-09 |
| 申请公布号 | CN103346224A | 申请公布日 | 2013-10-09 |
| 分类号 | H01L33/14(2010.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 罗绍军;艾常涛;靳彩霞;董志江 | 申请（专利权）人 | 迪源光电股份有限公司 |
| 代理机构 | 北京轻创知识产权代理有限公司 | 代理人 | 杨立 |
| 地址 | 430205 湖北省武汉市东湖高新技术开发区光谷一路227号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种GaN基LED的PGaN结构及其外延生长方法。其中，GaN基LED的PGaN结构为：所述GaN基LED的PGaN结构由下向上依次包括蓝宝石衬底层、GaN成核层、第一非故意掺杂u-GaN层、N型掺杂GaN层、有源区MQW层、量子阱保护层、P型AluInnGa1-u-nN层、第二非故意掺杂u-GaN层、P型GaN层、接触层，其中，所述第二非故意掺杂u-GaN层为在生长温度大于或等于1100摄氏度并且小于或等于1250摄氏度范围内生长出来的非故意掺杂u-GaN层。本发明的GaN基LED的PGaN结构，晶体质量好，发光效率高。 |
