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高动态范围背照式电荷域相关双采样全局快门图像传感器像素

基本信息

申请号 CN201910441731.2 申请日 -
公开（公告）号 CN110166718A 公开（公告）日 2019-08-23
申请公布号 CN110166718A 申请公布日 2019-08-23
分类号 H04N5/355;H04N5/378 分类 电通信技术;
发明人 葛光;吴宪岭 申请（专利权）人 上海砺芯微电子有限公司
代理机构 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 代理人 上海砺芯微电子有限公司
地址 中国(上海)自由贸易试验区纳贤路800号1幢B座901-1室
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种高动态范围背照式电荷域相关双采样全局快门图像传感器像素，包括：用于感测光信号生成电荷的光电二极管，用于暂时存储光电二极管中产生的电荷的第一电荷存储单元、第二电荷存储单元和第三电荷存储单元，用于同步电荷存储单元中存储的电荷的数量的改变量的辅助电荷存储单元。本发明通过增加设计辅助电荷存储单元，使得该辅助电荷存储单元里面存储的电荷的数量的改变量同电荷存储单元里面存储的电荷的数量的改变量相当，两个改变量相减的结果体现了从感光区域转移至电荷存储单元中的电荷的实际数量。通过该方式，可有效提高传感器的全局快门效率。