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一种背照式电荷域相关双采样全局快门图像传感器像素

基本信息

申请号 CN201920775273.1 申请日 -
公开（公告）号 CN210469539U 公开（公告）日 2020-05-05
申请公布号 CN210469539U 申请公布日 2020-05-05
分类号 H04N5/378;H04N5/357 分类 电通信技术;
发明人 吴宪岭;葛光 申请（专利权）人 上海砺芯微电子有限公司
代理机构 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 代理人 上海砺芯微电子有限公司
地址 中国（上海）自由贸易试验区纳贤路800号1幢B座901-1室
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型公开了一种背照式电荷域相关双采样全局快门图像传感器像素，包括：用于感测光信号的光电二极管、用于暂时存储光电二极管中产生电荷的电荷存储单元、辅助电荷存储单元和浮置扩散区；所述电荷存储单元和浮置扩散区之间设置有用于控制电荷从电荷存储单元往浮置扩散区转移的第二传输晶体管，所述光电二极管和电荷存储单元之间设置有用于控制电荷从光电二极管往电荷存储单元转移的第三传输晶体管。本实用新型通过增加设计辅助电荷存储单元，使得该辅助电荷存储单元里面存储的电荷的数量的改变量同电荷存储单元里面存储的电荷的数量的改变量相当，通过该方式，可有效提高传感器的全局快门效率。