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单片大电流TVS晶圆结构

基本信息

申请号 CN202121601404.8 申请日 -
公开（公告）号 CN214898409U 公开（公告）日 2021-11-26
申请公布号 CN214898409U 申请公布日 2021-11-26
分类号 H01L23/31（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 方廷宇;游礼仲;张峰 申请（专利权）人 山东强茂电子科技有限公司
代理机构 - 代理人 -
地址 255000山东省淄博市高新区中润大道186号
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型提供了一种单片大电流TVS晶圆结构。包括基础层，次顶层，凹陷部，填充体，顶层，第一晶粒，承托层，第二晶粒，其中，在基础层的上端具有次顶层，在次顶层的中部具有朝向基础层的凹陷部，在次顶层的上端具有顶层，在次顶层与顶层之间、位于凹陷部上方的位置具有填充体，在顶层的上端中部间隔具有若干第一晶粒，在第一晶粒的外周具有承托层，在承托层上具有若干第二晶粒。本实用新型对晶圆的内部结构进行了创新性改进，使其能够满足单片大电流TVS的技术要求，同时改善了晶圆的结构性能。本实用新型结构合理，加工工艺简单，成本较低，具有良好的使用效果和突出的技术优势。