多源MOS管共用栅极电荷平衡芯片结构及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202111093115.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113851524B | 公开（公告）日 | 2022-06-14 |
| 申请公布号 | CN113851524B | 申请公布日 | 2022-06-14 |
| 分类号 | H01L29/06（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L29/417（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 任炜强;春山正光 | 申请（专利权）人 | 深圳真茂佳半导体有限公司 |
| 代理机构 | 北京维正专利代理有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 518000广东省深圳市南山区西丽街道沙河西路健兴科技大厦C座310 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种多源MOS管共用栅极电荷平衡芯片结构及其制造方法，结构主要包括漏极衬底、共柵填充体、电荷平衡填充体、多种接触孔结构以及源极覆盖层与柵极覆盖层。源极覆盖层接受由柵极覆盖层连通的共柵填充体的驱动导通到漏极衬底的背面;电荷平衡填充体具有位于共柵填充体底部下方的平衡部以及一体相连位于所述平衡沟槽内的源接触部，形成顶面高低位差。在开槽后一次开孔工序中,当柵极接触孔结构钻设于所述共柵填充体中,平衡柵接触孔结构也钻设于源接触部中，故本发明示例提供的场效晶体管架构具有MOS管共用柵极底部电荷平衡的效果,稳定的降低漂移层电阻,实现沟槽式MOS管密集化且表面接触孔工艺一步到位。 |
