一种VDMOS芯片及其电路应用结构
基本信息
| 申请号 | CN202122088554.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN215896409U | 公开（公告）日 | 2022-02-22 |
| 申请公布号 | CN215896409U | 申请公布日 | 2022-02-22 |
| 分类号 | H01L29/78（2006.01）I;H01L23/552（2006.01）I;H03K17/687（2006.01）I;H03K7/08（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 杨正友;任炜强;谢文华 | 申请（专利权）人 | 深圳真茂佳半导体有限公司 |
| 代理机构 | 北京维正专利代理有限公司 | 代理人 | 朱鹏程 |
| 地址 | 518000广东省深圳市南山区西丽街道沙河西路健兴科技大厦C座310 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请涉及一种VDMOS芯片及其电路应用结构，包括半导体基座，半导体基座分为源区、漂移区和基体区，源区上贯穿设置有沟槽，且沟槽贯穿漂移区并延伸到基体区中，源区和基体区极性相同，源区和漂移区极性相反；基体区远离漂移区的一侧设置有漏极金属层，源区远离漂移区的一侧设置有源极金属层；沟槽内设置有栅极金属层，栅极金属层与沟槽内壁之间设置有绝缘层；栅极金属层上设置有屏蔽层，屏蔽层的两端分别延伸至沟槽两侧的源区上；栅极金属层上设置有栅极引出线，栅极引出线穿设在屏蔽层上且端部位于屏蔽层外。本申请具有消除VDMOS芯片内部高速开关引起的高频谐振从沟槽中辐射至外界，减小对外围电路的电磁干扰的效果。 |
