氮化镓HEMT芯片整合封装结构与电子装置专利查询专利号|摘要-满商公司网

氮化镓HEMT芯片整合封装结构与电子装置

基本信息

申请号	CN202121863305.7	申请日	-
公开（公告）号	CN215933565U	公开（公告）日	2022-03-01
申请公布号	CN215933565U	申请公布日	2022-03-01
分类号	H01L23/12（2006.01）I;H01L23/367（2006.01）I;H01L23/31（2006.01）I;H01L23/522（2006.01）I;H01L25/07（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	谢文华;任炜强	申请（专利权）人	深圳真茂佳半导体有限公司
代理机构	北京维正专利代理有限公司	代理人	朱鹏程
地址	518000广东省深圳市南山区西丽街道沙河西路健兴科技大厦C座310
法律状态	-

摘要

涉及氮化镓HEMT芯片整合封装结构与电子装置，结构依照封装工序依序包括位于封装底面的散热载片、氮化镓HEMT芯片、第一封装胶层、扇出线路层、MOSFET芯片、第二封装胶层及金属岛层。扇出线路层的第一源极内岛形成于偏离氮化镓HEMT芯片的区块中,漏极线路的一端扇出延伸以远离氮化镓HEMT芯片,柵极线路位于第一源极内岛与漏极线路之间;MOSFET芯片设置于第一源极内岛上,使MOSFET芯片的漏极有间隔连接至氮化镓HEMT芯片的源极;金属岛层的第二源极内岛导通互连MOSFET芯片的第二源极垫与柵极线路,使MOSFET芯片的源极短路径连接氮化镓HEMT芯片的柵极，MOSFET芯片位于不同于氮化镓HEMT芯片的封装胶层中，结构具有减少寄生电感与提高MOSFET芯片反应灵敏的效果。