多栅极变化的场效晶体管结构及其制造方法、芯片装置
基本信息
| 申请号 | CN202110486545.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113224133B | 公开（公告）日 | 2022-05-17 |
| 申请公布号 | CN113224133B | 申请公布日 | 2022-05-17 |
| 分类号 | H01L29/06（2006.01）I;H01L29/08（2006.01）I;H01L29/10（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I;H01L21/28（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 任炜强 | 申请（专利权）人 | 深圳真茂佳半导体有限公司 |
| 代理机构 | 北京维正专利代理有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 518000广东省深圳市南山区西丽街道沙河西路健兴科技大厦C座310 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种多栅极变化的场效晶体管结构及其制造方法、芯片装置，晶体管包括位于底层的漏极外延层、位于顶层的源极层以及嵌入于漏极外延层内的源极延伸倒鳍、第一栅极与第二栅极;第一栅极排列在源极延伸倒鳍之间,第二栅极对准在源极延伸倒鳍上,第一栅极与第二栅极的两侧各形成有成对由源极层至漏极外延层内部并联的对称型沟道;优选示例中,漏极外延层在对应源极延伸倒鳍的底部部位形成屏蔽栅底部浮空反极型柱底结。本发明提供的场效晶体管架构为多栅极变化的密集化,具有衬底背面漏极与顶面源极电子流分区均匀化的效果、以及减少开槽工艺的效果。 |
