多槽间嵌埋柵极的场效晶体管结构及其制造方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

多槽间嵌埋柵极的场效晶体管结构及其制造方法

基本信息

申请号	CN202110701212.2	申请日	-
公开（公告）号	CN113437153B	公开（公告）日	2022-02-22
申请公布号	CN113437153B	申请公布日	2022-02-22
分类号	H01L29/78（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	任炜强	申请（专利权）人	深圳真茂佳半导体有限公司
代理机构	北京维正专利代理有限公司	代理人	吴珊
地址	518000广东省深圳市南山区西丽街道沙河西路健兴科技大厦C座310
法律状态	-

摘要

本发明涉及一种多槽间嵌埋柵极的场效晶体管结构及其制造方法，晶体管包括位于底部的外延芯片、位于顶部的源极覆盖层以及嵌入的柵极结构;外延芯片开设有用于安装柵极结构的第一沟槽与位于第一沟槽两侧的第二沟槽;第二沟槽具有位于有源层上的第一区段,供欧姆接触导通到有源层位在第一沟槽两侧的沟道，第二沟槽还具有位于有源层下的第二区段,在第二区段形成有与有源层与肖特基效应破坏结同极且连接两者的反极型掺杂,以在第二区段形成直立且分离的肖特基势垒,用于阻挡场效晶体管正向电子流。本发明具有的效果包括：在MOS管槽接触制作时同时实现肖特基势垒的制作、在肖特基势垒在施加正向电压时漏电流小、以及消除MOS管内PN结的寄生电容。