一种SiCMOSFET器件
基本信息
| 申请号 | CN202122375899.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN215933612U | 公开（公告）日 | 2022-03-01 |
| 申请公布号 | CN215933612U | 申请公布日 | 2022-03-01 |
| 分类号 | H01L29/06（2006.01）I;H01L29/10（2006.01）I;H01L29/16（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 任炜强;春山正光;谢文华;杨正友 | 申请（专利权）人 | 深圳真茂佳半导体有限公司 |
| 代理机构 | 北京维正专利代理有限公司 | 代理人 | 朱鹏程 |
| 地址 | 518000广东省深圳市南山区西丽街道沙河西路健兴科技大厦C座310 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请涉及碳化硅功率器领域，公开了一种SiC MOSFET器件，SiC MOSFET器件包括衬底、外延底层、基层、源极层、栅极、栅介质层、沟道段、沟道长度减缩段、浮空段、隔离层、源极和漏极。本申请的栅介质层缺陷密度低，击穿电压高，可靠性高。 |
