多源MOS管共用栅极的芯片结构及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202111006493.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113725300B | 公开（公告）日 | 2022-04-26 |
| 申请公布号 | CN113725300B | 申请公布日 | 2022-04-26 |
| 分类号 | H01L29/78（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L27/088（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 任炜强;春山正光 | 申请（专利权）人 | 深圳真茂佳半导体有限公司 |
| 代理机构 | 北京维正专利代理有限公司 | 代理人 | 朱鹏程 |
| 地址 | 518000广东省深圳市南山区西丽街道沙河西路健兴科技大厦C座310 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种多源MOS管共用栅极的芯片结构及其制造方法，结构包括漏极衬底、栅极填充体、位于栅极填充体之间的源极填充体、漏极衬底上的源极覆盖层以及由漏极衬底背面设置的半导通孔结构。源极覆盖层接受栅极填充体的第一高度段驱动通过第二有源层导通到半导通孔结构与漏极衬底的背面,以构成第一MOS管结构;源极填充体接受栅极填充体的第二高度段驱动通过第一有源层导通到漏极衬底的背面,以构成第二MOS管结构。本发明提供的场效晶体管架构具有多源MOS管共用栅极实现MOS器件密集化且不受到二次开槽因沟槽深度差异影响电性能的效果。 |
