一种高硅含量的硅碳负极极片及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202010661225.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113921756A | 公开（公告）日 | 2022-01-11 |
| 申请公布号 | CN113921756A | 申请公布日 | 2022-01-11 |
| 分类号 | H01M4/133（2010.01）I;H01M4/134（2010.01）I;H01M4/66（2006.01）I;H01M4/38（2006.01）I;H01M4/583（2010.01）I;H01M4/62（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 姚林林;其他发明人请求不公开姓名 | 申请（专利权）人 | 兰溪致德新能源材料有限公司 |
| 代理机构 | 北京久诚知识产权代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 余罡 |
| 地址 | 321100浙江省金华市兰溪经济开发区兰江街道城郊西路17号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种高硅含量的硅碳负极极片，包括集流体、形成于所述集流体表面的碳层、形成于碳层表面的硅材料层，所述碳层和所述硅材料层的质量比为5:95~50:50。本发明集流体表面涂碳层，并控制其厚度和孔隙率，可极大地缓解硅负极膨胀，当匹配合适的硅负极材料时，可以实现50%以上的硅负极含量，从而可大幅度提高极片的比容量。 |
