一种具有多孔包覆层的硅负极材料及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202011602658.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114695847A | 公开（公告）日 | 2022-07-01 |
| 申请公布号 | CN114695847A | 申请公布日 | 2022-07-01 |
| 分类号 | H01M4/36（2006.01）I;H01M4/48（2010.01）I;H01M4/62（2006.01）I;H01M10/052（2010.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 胡盼;贺劲鑫;陈青华;姚林林;房冰 | 申请（专利权）人 | 兰溪致德新能源材料有限公司 |
| 代理机构 | 北京久诚知识产权代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 321100浙江省金华市兰溪经济开发区兰江街道城郊西路17号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请提供了一种具有多孔包覆层的硅负极材料，包括硅基材料、导电碳层和快离子导体层，其特征在于，所述导电碳层包覆在所述硅基材料表面，所述快离子导体层包覆在导电碳层表面；所述快离子导体层为多孔结构。多孔快离子导体层的实体位置是锂离子的优良导体并稳定了SEI膜，提高了材料的循环性能；孔隙位置使内层碳层裸露，增加了电子导电性；同时孔隙位置预留了膨胀空间，有利于缓冲硅基内核的膨胀。采用上述负极材料可以制备高能量密度、可快速充放电的锂离子电池。 |
