一种超临界二氧化碳硅块清洗装置、硅块处理系统及方法
基本信息
| 申请号 | CN202110749231.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113436998B | 公开（公告）日 | 2022-02-18 |
| 申请公布号 | CN113436998B | 申请公布日 | 2022-02-18 |
| 分类号 | H01L21/67（2006.01）I;H01L21/02（2006.01）I;B08B7/00（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 吴锋;田新;孙江桥;吴鹏 | 申请（专利权）人 | 江苏鑫华半导体科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 北京锦信诚泰知识产权代理有限公司 | 代理人 | 倪青华 |
| 地址 | 221004江苏省徐州市经济技术开发区杨山路66号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及半导体加工技术领域，尤其涉及一种超临界二氧化碳硅块清洗装置，包括：槽体，提供硅块清洗的封闭空间；调压装置，在硅块清洗前将封闭空间内的压力调节至高于二氧化碳的超临界压力，且在清洗过程中保持压力不变；以及，在硅块清洗完毕后降低槽体内压力，而使得二氧化碳气化；控温装置，在硅块清洗前将封闭空间内的温度调节至高于二氧化碳的超临界温度，且在清洗过程中保持温度不变；压缩装置，对来自槽体内经气化后的二氧化碳进行压缩而形成液态的二氧化碳；二氧化碳储槽，对液态的二氧化碳进行存储、供给和回收。通过本发明，可有效将硅块微孔中的残留物冲出，使得硅块表面杂质合格。本发明中还请求保护一种硅块处理系统及方法。 |
