提高多晶硅纯度的方法
基本信息
| 申请号 | CN202111444978.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114014322A | 公开（公告）日 | 2022-02-08 |
| 申请公布号 | CN114014322A | 申请公布日 | 2022-02-08 |
| 分类号 | C01B33/035（2006.01）I | 分类 | 无机化学; |
| 发明人 | 高召帅;张天雨;田新;王海豹 | 申请（专利权）人 | 江苏鑫华半导体科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 北京清亦华知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 赵丽婷 |
| 地址 | 221004江苏省徐州市经济技术开发区杨山路66号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了提高多晶硅纯度的方法。该方法在进行还原工序之前包括：对还原炉和硅芯进行预处理，其中，所述预处理过程包括：（1）将硅芯置于还原炉中，并对所述还原炉进行抽真空处理，以便去除还原炉内的空气；（2）向所述还原炉内通入氢气，以便对所述硅芯进行还原处理；（3）向所述还原炉内通入氢气和含氯气体的混合气，以便去除所述还原炉内的三五族杂质。该方法不仅工艺简单，还可以同时去除硅芯表面和还原炉内腔面及其附件设备表面吸附的杂质，能够使硅芯附近沉积的硅料三五族杂质含量降低到与远离硅芯位置的硅料三五族杂质含量相同的水平，达到显著提高硅料产品的产率与纯度的效果。 |
