干燥多晶硅的方法及系统
基本信息
| 申请号 | CN202111416887.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113834315A | 公开（公告）日 | 2021-12-24 |
| 申请公布号 | CN113834315A | 申请公布日 | 2021-12-24 |
| 分类号 | F26B21/14（2006.01）I;F26B25/00（2006.01）I | 分类 | 干燥; |
| 发明人 | 张天雨;蒋文武;吴鹏;吴锋 | 申请（专利权）人 | 江苏鑫华半导体科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 北京清亦华知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 赵丽婷 |
| 地址 | 221004江苏省徐州市经济技术开发区杨山路66号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了干燥多晶硅的方法及系统。该方法包括：向多晶硅表面喷射超临界CO2，以便去除所述多晶硅表面残留的水分，所述喷射超临界CO2的过程包括先后进行的三个阶段，其中：第一阶段的喷射压力为1~3MPa，喷射时间为10~15min；第二阶段的喷射压力为3~5MPa，喷射时间为8~12min；第三阶段的喷射压力为4~6MPa，喷射时间为5~8min，所述第一阶段的喷射压力小于所述第二阶段的喷射压力，所述第二阶段的喷射压力小于所述第三阶段的喷射压力。该干燥多晶硅的方法不仅操作简单，且能在常温下进行，而且干燥效率高且干燥效果好，还不会引入新的杂质，能够同时保证干燥效果和多晶硅的品质。 |
