一种MEMS超声波传感器的封装结构
基本信息
| 申请号 | CN201921003767.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN210176451U | 公开（公告）日 | 2020-03-24 |
| 申请公布号 | CN210176451U | 申请公布日 | 2020-03-24 |
| 分类号 | B81B7/00(2006.01)I;B81B7/02(2006.01)I | 分类 | 微观结构技术〔7〕; |
| 发明人 | 胡国俊;夏登明 | 申请（专利权）人 | 智驰华芯（无锡）传感科技有限公司 |
| 代理机构 | 无锡华源专利商标事务所（普通合伙） | 代理人 | 智驰华芯（无锡）传感科技有限公司 |
| 地址 | 214000江苏省无锡市菱湖大道200号中国传感网国际创新园F6 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种MEMS超声波传感器的封装结构，涉及微电子技术领域，该封装结构将MEMS超声波传感器芯片置于传感器外壳内布放在传感器底座上，MEMS超声波传感器芯片的换能器外表面布置一层防水透声膜，阻隔水、油等液体以及腐蚀性气体对MEMS超声波传感器的污染和破坏，且防水透声膜不与芯片表面接触，不会影响换能器的工作效能；防水透声膜外部布放一层隔尘织网，阻隔尘埃以及大颗粒物体对MEMS超声波传感器芯片和防水透声膜的污染和破坏；该封装结构的结构简单，可在有效防护灰尘、砂石等颗粒物质，水、油等液体，腐蚀性气体的腐蚀的前提下，为MEMS超声波传感器芯片中换能器发出的声波提供一个损耗更小的传输途径。 |
