一种沟槽接发射极的功率半导体器件版图结构
基本信息
| 申请号 | CN201822023719.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN209357729U | 公开（公告）日 | 2019-09-06 |
| 申请公布号 | CN209357729U | 申请公布日 | 2019-09-06 |
| 分类号 | H01L29/739（2006.01）I; H01L29/423（2006.01）I; H01L29/08（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 孔梓玮; 蒋兴莉; 王思亮; 胡强 | 申请（专利权）人 | 成都森未科技有限公司 |
| 代理机构 | 成都天嘉专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 成都森未科技有限公司 |
| 地址 | 610000 四川省成都市中国（四川）自由贸易试验区成都高新区天府大道北段1480号6栋4层405号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请涉及半导体制造领域，特别是一种沟槽接发射极的功率半导体器件版图结构，其包括芯片版图底版，所述芯片版图底版的上表面淀积有栅极跑道，所述芯片版图底版的上表面开设有多个第一圈栅极槽与第二圈栅极槽，且第二圈栅极槽设置在相邻的两个第一圈栅极槽之间；所述第二圈栅极槽位于栅极跑道内圈中，与栅极跑道呈非接触状态，所述第二圈栅极槽的首尾两端与多晶硅孤岛相连。本申请可以非常容易的实现浮空区域内沟槽接入发射极，对工艺的要求非常简单，与现有工艺在沟槽宽度较窄时也完全兼容。同时也一样达到提高器件开关速度，降低器件开关损耗的目的。 |
