一种降低输入电容的半导体器件
基本信息
| 申请号 | CN201822005167.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN209389000U | 公开（公告）日 | 2019-09-13 |
| 申请公布号 | CN209389000U | 申请公布日 | 2019-09-13 |
| 分类号 | H01L21/331（2006.01）I; H01L21/335（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 马克强; 沈建华; 孟繁新; 蒋兴莉; 胡强 | 申请（专利权）人 | 成都森未科技有限公司 |
| 代理机构 | 贵阳睿腾知识产权代理有限公司 | 代理人 | 中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂）; 成都森未科技有限公司 |
| 地址 | 550018 贵州省贵阳市乌当区新添大道北段270号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型提供了一种降低输入电容的半导体器件；包括第一导电类型衬底，第一导电类型衬底的第一主面内设有第二导电类型基区，第二导电类型基区内设置有第一导电类型深扩散区和第二导电类型深扩散区第二导电类型基区内设置有第二导电类型深扩散区。具有低输入电容的半导体器件结构，将基区之间的部分栅氧层下面生长厚的第二绝缘层，这样增大了绝缘层厚度，减小了输入电容，有利于器件的高频应用。第二绝缘层上方的多晶是不连续的，这样减小了形成电容的面积进而减小了输入电容，有利于器件的高频应用，这样减小了形成电容的面积进而减小了输入电容，有利于器件的高频应用。 |
