基于一种DBC布局的集成IGBT封装结构
基本信息
| 申请号 | CN202010493508.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111627899A | 公开（公告）日 | 2020-09-04 |
| 申请公布号 | CN111627899A | 申请公布日 | 2020-09-04 |
| 分类号 | H01L25/18(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 田绍据;严明会;秦潇峰;胡强;蒋兴莉;王思亮 | 申请（专利权）人 | 成都森未科技有限公司 |
| 代理机构 | 成都天嘉专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 成都森未科技有限公司 |
| 地址 | 610000四川省成都市中国（四川）自由贸易试验区成都高新区天府大道北段1480号6栋4层405号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请属于半导体封装以及功率模块领域，特别是基于一种DBC布局的集成IGBT封装结构，包括三相DBC结构，所述三相DBC结构的外部固定有框架，所述三相DBC结构的正面均焊接有多个芯片，三相DBC结构的背面直接焊接在散热器上，三相DBC结构中的各芯片之间相互连接，三相DBC结构直流端子处连接有叠层母排。本申请的三相DBC直接焊接到散热器上，这种工艺比传统工艺少了一层基板，极大的降低了热阻，提高了功率密度；同时这种工艺便于自动化实现，提高了生产效率。 |
