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一种提高开启可控性的IGBT器件结构

基本信息

申请号	CN202020383033.X	申请日	-
公开（公告）号	CN211455691U	公开（公告）日	2020-09-08
申请公布号	CN211455691U	申请公布日	2020-09-08
分类号	H01L29/739(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I	分类	-
发明人	马克强;金涛;秦潇峰;蒋兴莉;王思亮	申请（专利权）人	成都森未科技有限公司
代理机构	成都天嘉专利事务所（普通合伙）	代理人	成都森未科技有限公司
地址	610000四川省成都市中国（四川）自由贸易试验区成都高新区天府大道北段1480号6栋4层405号
法律状态	-

摘要

本申请涉及半导体制造领域，特别是一种能有效解决传统IGBT开启可控性较差的提高开启可控性的IGBT器件结构，包括N‑型基区，N‑型基区内设置有沟槽型栅极区，沟槽型栅极区包括栅氧层、多晶栅和栅电极，多晶栅位于栅氧层的内部，栅电极位于多晶栅上表面并连接多晶栅；N‑型基区的左上部和右上部设置有P型重掺杂区，N‑型基区内部表层设置有N型重掺杂区，其位于P型深掺杂区的部分被刻蚀工艺分离。本申请所述P型深掺杂区，未与沟槽形栅极区相连接，在栅极加压开启过程中，在沟槽下方不易形成连接P型基区与P型深掺杂区的反型沟道，P型深掺杂区的浮空电势在开启过程中变化率变小，因此对栅极区的影响减小，提高了栅极电压的稳定性。