一种深沟槽绝缘栅极器件及其制备方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种深沟槽绝缘栅极器件及其制备方法

基本信息

申请号	CN202010211838.0	申请日	-
公开（公告）号	CN111354788A	公开（公告）日	2020-06-30
申请公布号	CN111354788A	申请公布日	2020-06-30
分类号	H01L29/739(2006.01)I	分类	-
发明人	胡强;金涛;秦潇峰;王思亮;蒋兴莉	申请（专利权）人	成都森未科技有限公司
代理机构	成都天嘉专利事务所（普通合伙）	代理人	成都森未科技有限公司
地址	610000四川省成都市中国（四川）自由贸易试验区成都高新区天府大道北段1480号6栋4层405号
法律状态	-

摘要

本申请涉及半导体制造领域，特别是一种深沟槽绝缘栅极器件及其制备方法，包括衬底，衬底上设置有体区，体区上设置有第二导电层，第二导电层中设置有第一绝缘介质层，第一绝缘介质层下方设置有第二绝缘介质层，第二绝缘介质层呈U形，第二绝缘介质层的内侧设置有第三绝缘介质层，第三绝缘介质层呈U形，第三绝缘介质层的内侧设置有第四绝缘介质层，第二绝缘介质层内部的第三绝缘介质层上方设置有第一导电层，第二绝缘介质层穿过体区并位于衬底内，第一导电层的深度不小于体区的深度。本申请的沟槽内部第一导电层底部与沟槽底部之间还填充又第三绝缘介质层，且第三绝缘介质层的纵向厚度可根据设计调整。沟槽内部栅电极的深度与沟槽深度可以不一样。