一种沟槽型器件及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202010211835.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111370473A | 公开（公告）日 | 2020-07-03 |
| 申请公布号 | CN111370473A | 申请公布日 | 2020-07-03 |
| 分类号 | H01L29/423;H01L29/739;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336;H01L21/331 | 分类 | - |
| 发明人 | 胡强;金涛;秦潇峰;王思亮;蒋兴莉 | 申请（专利权）人 | 成都森未科技有限公司 |
| 代理机构 | 成都天嘉专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 成都森未科技有限公司 |
| 地址 | 610000 四川省成都市中国（四川）自由贸易试验区成都高新区天府大道北段1480号6栋4层405号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请涉及半导体制造领域，特别是一种沟槽型器件及其制备方法，包括衬底，所述衬底上设置有体区，所述体区上设置有第二导电层，所述第二导电层中设置有第一绝缘介质层，第一绝缘介质层下方设置有栅极介质层，栅极介质层下方设置有第二绝缘介质层，所述第一绝缘介质层、栅极介质层和第二绝缘介质层连通，所述栅极介质层位于体区中，所述第二绝缘介质层位于衬底中，在栅极介质层和第二绝缘介质层中设置有第一导电层，所述第一导电层的深度不小于体区的深度。本申请的结构中，沟槽内部栅电极的深度与沟槽深度可以不一样。将此种结构应用于IGBT设计中，可以增强载流子注入效应，能够降低IGBT的导通损耗。 |
