一种IGBT模块用的DBC结构
基本信息
| 申请号 | CN202020989365.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN211879386U | 公开（公告）日 | 2020-11-06 |
| 申请公布号 | CN211879386U | 申请公布日 | 2020-11-06 |
| 分类号 | H01L25/18(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 秦潇峰;严明会;胡强;蒋兴莉;王思亮 | 申请（专利权）人 | 成都森未科技有限公司 |
| 代理机构 | 成都天嘉专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 成都森未科技有限公司 |
| 地址 | 610000四川省成都市中国（四川）自由贸易试验区成都高新区天府大道北段1480号6栋4层405号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请属于半导体封装以及功率模块领域，特别是一种IGBT模块用的DBC结构，其包括陶瓷绝缘基板，所述陶瓷绝缘基板的正面设置有上桥IGBT芯片、上桥二极管芯片、下桥IGBT芯片、下桥二极管芯片、NTC温度传感器和多个表面铜箔；所述上桥IGBT芯片以及上桥二极管芯片通过表面铜箔连接，上桥二极管芯片及上桥IGBT芯片连接与下桥IGBT芯片及下桥二极管芯片，下桥IGBT芯片与下桥二极管芯片通过表面铜箔引出。本申请的布局方式，实现了多芯片并联，有平衡各芯片之间电流的优势，上桥IGBT集电极与二极管阴极的通过两条平行铜箔，可以减少这部分的寄生电感。 |
