一种浮空区间隔开孔的IGBT版图结构
基本信息
| 申请号 | CN202020383144.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN211455692U | 公开（公告）日 | 2020-09-08 |
| 申请公布号 | CN211455692U | 申请公布日 | 2020-09-08 |
| 分类号 | H01L29/739(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I | 分类 | - |
| 发明人 | 秦潇峰;马克强;金涛;蒋兴莉;王思亮 | 申请（专利权）人 | 成都森未科技有限公司 |
| 代理机构 | 成都天嘉专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 成都森未科技有限公司 |
| 地址 | 610000四川省成都市中国（四川）自由贸易试验区成都高新区天府大道北段1480号6栋4层405号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请涉及半导体制造领域，特别是一种浮空区间隔开孔的IGBT版图结构，包括芯片版图底版，芯片版图底版的上表面开设有横向周期排布的多组第一栅极沟槽，每组第一栅极沟槽为两个，两个第一栅极沟槽之间开设有横向排布的两个N+注入窗口，两个N+注入窗口之间设有一个横向排布的第一发射极接触孔，相邻的两组第一栅极沟槽之间的空白区域为浮空区，浮空区内设有纵向周期排布的多组第二栅极沟槽，每组第二栅极沟槽为两个，两个第二栅极沟槽之间开设有第二发射极接触孔。本实用新型在不增加工艺成本的前提下，可以有效提高开启过程中，栅极对di/dt的可控性，通过调节a与b的比例，可以得到不同程度的di/dt的控制性。 |
