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一种提高IGBT开启可控性的元胞结构

基本信息

申请号	CN202020383035.9	申请日	-
公开（公告）号	CN211455689U	公开（公告）日	2020-09-08
申请公布号	CN211455689U	申请公布日	2020-09-08
分类号	H01L29/06(2006.01)I	分类	-
发明人	金涛;马克强;秦潇峰;蒋兴莉;王思亮	申请（专利权）人	成都森未科技有限公司
代理机构	成都天嘉专利事务所（普通合伙）	代理人	成都森未科技有限公司
地址	610000四川省成都市中国（四川）自由贸易试验区成都高新区天府大道北段1480号6栋4层405号
法律状态	-

摘要

本申请涉及半导体制造领域，特别是一种提高IGBT开启可控性的元胞结构，包括N‑型基区，和场氧化层，场氧化层位于N‑型基区上方，N‑型基区内设置有沟槽型栅极区，沟槽型栅极区包括栅氧层、多晶栅和栅电极，多晶栅位于栅氧层的内部，并延伸至场氧化层上方，中间介质层一部分位于多晶层延伸部分的上方，其余部分位于N‑基区上层，中间介质层位于P型重掺杂区和N型重掺杂区的部分被刻蚀工艺分割开。本申请结构所述P型深掺杂区，未与沟槽形栅极区相接触，在栅极加压开启过程中，在沟槽下方不易形成连接P型基区与P型深掺杂区的反型沟道，P型深掺杂区的浮空电势在开启过程中变化率变小，因此对栅极区的影响减小，提高了栅极电压的稳定性。